fundamentals of modern vlsi devices

商品の説明

ご注文前に必ずご確認ください＜商品説明＞初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。＜収録内容＞序章デバイス物理の基礎MOSFETデバイスCMOSデバイス設計CMOS性能因子バイポーラデバイスメモリデバイスSOIデバイス〔ほか〕＜商品詳細＞商品番号：NEOBK-1426072YuanTaur / [Cho] TakH. Ning / [Cho] Shibahara Kentaro / Kanyaku Miyamoto Kyo Miyuki / Kanyaku Uchida Ken / Kanyaku / Taua Nin Saishin VLSI No Kiso / Original Title: Fundamentals of Modern VLSI Devices Gencho Dai2 Han No Shoyakuメディア：本/雑誌発売日：2013/01JAN：9784621085813タウア・ニン最新VLSIの基礎 / 原タイトル:Fundamentals of Modern VLSI Devices 原著第2版の抄訳[本/雑誌] (単行本・ムック) / YuanTaur/〔著〕 Tak...