nチャンネル mosfet

ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 60 V 250 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋(150個入) RK7002BMT116ROHM デュアル Nチャンネル MOSFET 1.5 A 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-88） 6 ピン 1袋(25個入) US6K1TRROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 20 V 100 mA 3 ピン パッケージSOT-323FL 1袋(150個入) RU1C001UNTCLマラソン期間中ポイント5倍 PENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110AROHM ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOT-346T 3 ピン 1袋（50個入） RQ5E030AJTCL 1袋(50個入)DiodesZetex デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋(20個入) DMN6040SSD-13Nexperia Nチャンネル MOSFET 100 A 表面実装 パッケージSOT-669 4 ピン 1袋（5個入） PSMN1R2-25YLC,115 1袋(5個入)ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 30 V 500 mA 3 ピン パッケージSMT 1袋(10個入) RJK005N03T146DiodesZetex Nチャンネル パワーMOSFET 50 V 500 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋(100個入) BSN20-7ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 10 A 3 ピン パッケージIPAK （TO-251） 1袋(5個入) FQU13N10LTUROHM Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 24 A 表面実装 パッケージTO-263 2 Tab ピン 1袋（5個入） R6024ENJTL 1袋(5個入)ROHM Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 4 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン 1袋（25個入） R6004ENX 1袋(25個入)ROHM デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 30 V 2 A 5 ピン パッケージTSMT 1袋(10個入) QS5K2TRROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENXROHM デュアル Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 20 V 200 mA 6 ピン パッケージSOT-563 1袋(40個入) EM6K7T2RON Semiconductor Nチャンネル MOSFET 24 A スルーホール パッケージTO-3PN 2 ピン 1袋（2個入） FDA24N50 1袋(2個入)Infineon Nチャンネル パワーMOSFET 150 V 78 A 3 ピン パッケージTO-247AC 1袋(2個入) IRFP4321PBFON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 5.6 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 Tab ピン 1袋（25個入） FDT1600N10ALZ 1袋(25個入)ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 20 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン 1袋（5個入） R6020KNX 1袋(5個入)ROHM デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージHSOP 8 ピン 1袋（10個入） HP8S36TB 1袋(10個入)

ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 60 V 250 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋(150個入) RK7002BMT116

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  • ROHM Nチャンネル　小信号　MOSFET　60　V　250　mA　3　ピン　パッケージSOT-23 1袋(150個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数：1袋（150個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：250mA●最大ドレイン-ソース間電圧：60V●最大ドレイン-ソース間抵抗：12Ω●最大ゲートしきい値電圧：2.3V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：350mW●動作温度　Min：-55°C●RoHS適合状況：適合●コード番号：124-6790

    • ROHM デュアル Nチャンネル MOSFET 1.5 A 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-88） 6 ピン 1袋(25個入) US6K1TR

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  • ROHM デュアル　Nチャンネル　MOSFET　1.5　A　表面実装　パッケージSOT-363　（SC-88）　6　ピン 1袋(25個入)●デュアルNチャンネルMOSFETトランジスタ、ローム●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：1.5　A●最大ドレイン-ソース間電圧：30　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：340　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V●パッケージタイプ：SOT-363　（SC-88）●実装タイプ：表面実装●ピン数：6●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：信号MOSFET●最大パワー消費：1　W●標準ターンオフ遅延時間：15　ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：133-2949

    • ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 20 V 100 mA 3 ピン パッケージSOT-323FL 1袋(150個入) RU1C001UNTCL

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  • ROHM Nチャンネル　小信号　MOSFET　20　V　100　mA　3　ピン　パッケージSOT-323FL 1袋(150個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数：1袋（150個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100mA●最大ドレイン-ソース間電圧：20V●最大ドレイン-ソース間抵抗：18Ω●最大ゲートしきい値電圧：1V●最低ゲートしきい値電圧：0.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-8V,　+8V●パッケージタイプ：SOT-323FL●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：150mW●動作温度　Min：-55°C●RoHS適合状況：適合●コード番号：124-6834

    • [マラソン期間中ポイント5倍]PENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110A

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  • 製品名：IRF3205 MOSFETトランジスタ電圧：55V、電流：110A、抵抗：8mオームパッケージ：TO-220AB製品タイプ：MOSFET対象：電子DIYプロジェクト

    • ROHM ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOT-346T 3 ピン 1袋（50個入） RQ5E030AJTCL 1袋(50個入)

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  • ●入数：1袋（50個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：3　A●最大ドレイン-ソース間電圧：30　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：109　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：±12　V●パッケージタイプ：SOT-346T●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1　W●標準入力キャパシタンス　@　Vds：240　pF　@　15　V●RoHS適合状況：適合●コード番号：150-1514

    • DiodesZetex デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋(20個入) DMN6040SSD-13

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  • ●デュアルNチャンネルMOSFET、DiodesInc.●入数：1袋（20個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：6.6　A●最大ドレイン-ソース間電圧：60　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：55　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.7　W●幅：3.95mm●RoHS適合状況：適合●コード番号：823-4018

    • Nexperia Nチャンネル MOSFET 100 A 表面実装 パッケージSOT-669 4 ピン 1袋（5個入） PSMN1R2-25YLC,115 1袋(5個入)

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  • ●NチャンネルMOSFET、最大30V、Nexperia●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100　A●最大ドレイン-ソース間電圧：25　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：1.7　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.95V●最低ゲートしきい値電圧：1.05V●最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V●パッケージタイプ：SOT-669●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：179　W●1チップ当たりのエレメント数：1●RoHS適合状況：適合●コード番号：798-2902

    • ROHM Nチャンネル 小信号 MOSFET 30 V 500 mA 3 ピン パッケージSMT 1袋(10個入) RJK005N03T146

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  • ROHM Nチャンネル　小信号　MOSFET　30　V　500　mA　3　ピン　パッケージSMT 1袋(10個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：500mA●最大ドレイン-ソース間電圧：30V●最大ドレイン-ソース間抵抗：580　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-12V,　+12V●パッケージタイプ：SMT●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：200mW●高さ：1.1mm●RoHS適合状況：適合●コード番号：694-2843

    • DiodesZetex Nチャンネル パワーMOSFET 50 V 500 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋(100個入) BSN20-7

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    価格 ￥1,499 
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  • DiodesZetex Nチャンネル　パワーMOSFET　50　V　500　mA　3　ピン　パッケージSOT-23 1袋(100個入)●NチャンネルMOSFET、40→90　V、Diodes　Inc●入数：1袋（100個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：500mA●最大ドレイン-ソース間電圧：50V●最大ドレイン-ソース間抵抗：2Ω●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：920mW●1チップ当たりのエレメント数：1●RoHS適合状況：適合●コード番号：822-2179

    • ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 10 A 3 ピン パッケージIPAK （TO-251） 1袋(5個入) FQU13N10LTU

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    価格 ￥570 
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  • ON　Semiconductor Nチャンネル　パワーMOSFET　100　V　10　A　3　ピン　パッケージIPAK　（TO-251） 1袋(5個入)●QFET（R）　NチャンネルMOSFET、6→10.9　A、Fairchild　Semiconductor●Fairchild　Semiconductor製の新しいQFET（R）平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。●これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。●高度なQFET（R）プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：10　A●最大ドレイン-ソース間電圧：100V●最大ドレイン-ソース間抵抗：180　mΩ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V●パッケージタイプ：IPAK　（TO-251）●実装タイプ：スルーホー...

    • ROHM Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 24 A 表面実装 パッケージTO-263 2+Tab ピン 1袋（5個入） R6024ENJTL 1袋(5個入)

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    価格 ￥2,884 
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  • ●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：24　A●最大ドレイン-ソース間電圧：600　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：320　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：±30　V●パッケージタイプ：TO-263●実装タイプ：表面実装●ピン数：2+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：ドライバMOSFET●最大パワー消費：245　W●標準ターンオフ遅延時間：180　ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：172-0479

    • ROHM Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 4 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン 1袋（25個入） R6004ENX 1袋(25個入)

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    価格 ￥5,758 
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  • ●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：4　A●最大ドレイン-ソース間電圧：600　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：1.36　Ω●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：±20　V●パッケージタイプ：TO-220FM●実装タイプ：スルーホール●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：ドライバMOSFET●最大パワー消費：40　W●1チップ当たりのエレメント数：1●RoHS適合状況：適合●コード番号：172-0546

    • ROHM デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 30 V 2 A 5 ピン パッケージTSMT 1袋(10個入) QS5K2TR

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    価格 ￥657 
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  • ROHM デュアル　Nチャンネル　パワーMOSFET　30　V　2　A　5　ピン　パッケージTSMT 1袋(10個入)●デュアルNチャンネルMOSFETトランジスタ、ローム●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：2　A●最大ドレイン-ソース間電圧：30V●最大ドレイン-ソース間抵抗：100　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.5V●最大ゲート-ソース間電圧：-12V,　+12V●パッケージタイプ：TSMT●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：コモンソース●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：1.25W●標準ターンオフ遅延時間：21　ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：694-2874

    • ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENX

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    価格 ￥879 
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  • ROHM Nチャンネル　パワーMOSFET　600　V　20　A　3　ピン　パッケージTO-220FM 1袋(2個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数：1袋（2個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：20　A●最大ドレイン-ソース間電圧：600V●最大ドレイン-ソース間抵抗：200　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V●パッケージタイプ：TO-220FM●実装タイプ：スルーホール●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：50W●1チップ当たりのエレメント数：1●RoHS適合状況：適合●コード番号：826-7541

    • ROHM デュアル Nチャンネル ドライバ用 MOSFET 20 V 200 mA 6 ピン パッケージSOT-563 1袋(40個入) EM6K7T2R

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    価格 ￥2,404 
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  • ROHM デュアル　Nチャンネル　ドライバ用　MOSFET　20　V　200　mA　6　ピン　パッケージSOT-563 1袋(40個入)●デュアルNチャンネルMOSFETトランジスタ、ローム●入数：1袋（40個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：200mA●最大ドレイン-ソース間電圧：20V●最大ドレイン-ソース間抵抗：4.8Ω●最大ゲートしきい値電圧：1V●最低ゲートしきい値電圧：0.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-8V,　+8V●パッケージタイプ：SOT-563●実装タイプ：表面実装●ピン数：6●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：ドライバMOSFET●最大パワー消費：150mW●1チップ当たりのエレメント数：2●RoHS適合状況：適合●コード番号：124-6574

    • ON　Semiconductor Nチャンネル MOSFET 24 A スルーホール パッケージTO-3PN 2 ピン 1袋（2個入） FDA24N50 1袋(2個入)

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    価格 ￥1,016 
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  • ●UniFET　NチャンネルMOSFET、Fairchild　Semiconductor●UniFET　MOSFETは、Fairchild　Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。●この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。●さらに、内部ゲート　-　ソースESDダイオードにより、UniFET-II　MOSFETは2000　V　HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。●UniFET　MOSFETは、力率補正（PFC）、フラットパネルディスプレイ（FPD）　TV電源、ATX　（Advanced　Technology　eXtended）、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。●入数：1袋（2個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：24　A●最大ドレイン-ソース間電圧：500　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：190　mΩ●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V●パッケージタイプ：TO-3PN●実装タイプ：スルーホール●ピン数：2●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：高電圧●最大パワー消費：270　W●標準ターンオフ遅延時間：164　ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：809-5075

    • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET 150 V 78 A 3 ピン パッケージTO-247AC 1袋(2個入) IRFP4321PBF

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  • Infineon Nチャンネル　パワーMOSFET　150　V　78　A　3　ピン　パッケージTO-247AC 1袋(2個入)●モータ制御/AC-DC同期整流MOSFET、Infineon●モータ制御MOSFET●Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル/PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。●同期整流MOSFET●AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。●入数：1袋（2個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：78　A●最大ドレイン-ソース間電圧：150V●最大ドレイン-ソース間抵抗：16　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：5V●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：-30V,　+30V●パッケージタイプ：TO-247AC●実装タイプ：スルーホール●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：310000mW●動作温度mAx：+175°C●RoHS適合状況：適合●コード番号：688-7005

    • ON　Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 5.6 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（25個入） FDT1600N10ALZ 1袋(25個入)

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  • ●PowerTrenchR　NチャンネルMOSFET、最大9.9　A、Fairchild　Semiconductor●入数：1袋（25個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：5.6　A●最大ドレイン-ソース間電圧：100　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：375　mΩ●最低ゲートしきい値電圧：1.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：10.42　W●1チップ当たりのエレメント数：1●RoHS適合状況：適合●コード番号：864-8732

    • ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 20 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン 1袋（5個入） R6020KNX 1袋(5個入)

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    価格 ￥2,381 
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  • ●入数：1袋（5個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：20　A●最大ドレイン-ソース間電圧：600　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：360　mΩ●最大ゲートしきい値電圧：5V●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：±30　V●パッケージタイプ：TO-220FM●実装タイプ：スルーホール●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：68　W●動作温度　Max：+150　°C●RoHS適合状況：適合●コード番号：172-0468

    • ROHM デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージHSOP 8 ピン 1袋（10個入） HP8S36TB 1袋(10個入)

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  • ●入数：1袋（10個入）●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：27　A　（Nチャンネル）,　80　A　（Nチャンネル）●最大ドレイン-ソース間電圧：30　V●最大ドレイン-ソース間抵抗：13.3　m　Ω（Nチャンネル）,　2.8　mΩ　（Nチャンネル）●最大ゲートしきい値電圧：2.5V●最低ゲートしきい値電圧：1.3V●最大ゲート-ソース間電圧：±128　V　（Nチャンネル）,　±20　V　（Nチャンネル）●パッケージタイプ：HSOP●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：22　W　（Nチャンネル）,　29　W　（Nチャンネル）●動作温度　Max：+150　°C●RoHS適合状況：該当なし●コード番号：178-5992
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